טרנזיסטורי MOSFET כוח. תכנית, תיאור

אינציקלופדיה של רדיו אלקטרוניקה והנדסת חשמל
ספרייה חינם / חַשׁמַלַאי

התקני מוליכים למחצה כוח. טרנזיסטורי MOSFET כוח. אנציקלופדיה של רדיו אלקטרוניקה והנדסת חשמל

ספריה טכנית בחינם

אנציקלופדיה של רדיו אלקטרוניקה והנדסת חשמל / מדריך חשמלאי

MOSFET הוא קיצור של הביטוי האנגלי Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (טרנזיסטור שדה אפקט שדה מתכת-אוקסיד).

סוג זה של טרנזיסטורים נבדל, קודם כל, על ידי כוח הבקרה המינימלי עם תפוקה משמעותית (מאות וואט). כמו כן, יש לשים לב לערכי ההתנגדות הנמוכים ביותר במצב פתוח (עשיריות אוהם עם זרם מוצא של עשרות אמפר), ולפיכך את ההספק המינימלי שמשחרר הטרנזיסטור בצורה של חום.

הייעוד של סוג זה של טרנזיסטור מוצג באיור. 7.1. כמו כן, כדי לצמצם את מספר הרכיבים החיצוניים, ניתן לבנות דיודה חזקה בתדר גבוה בטרנזיסטור.

כוח MOSFETs
אורז. 7.1. ייעוד טרנזיסטורי MOSFET (G - שער, D - ניקוז, S - מקור): א - ייעוד של טרנזיסטור N-ערוץ; b - ייעוד של טרנזיסטור ערוץ P

היתרונות של טרנזיסטורי MOSFET על פני דו-קוטביים

אל הבלתי ניתן להכחשה יתרונות טרנזיסטורי MOSFET מול דו-קוטביים כוללים את הדברים הבאים:

כוח בקרה מינימלי והגברת זרם גבוהה מבטיחים פשטות של מעגלי בקרה (יש אפילו מגוון של MOSFETs הנשלט על ידי רמות לוגיות);
מהירות מיתוג גבוהה (במקביל, עיכובי הכיבוי מינימליים ומובטח מגוון רחב של פעולה בטוחה);
היכולת פשוט לחבר טרנזיסטורים במקביל כדי להגדיל את כוח המוצא;
התנגדות של טרנזיסטורים לפולסי מתח גדולים (dv/dt).

יישום ויצרנים

התקנים אלה נמצאים בשימוש נרחב במכשירים לשליטה בעומסים רבי עוצמה והחלפת ספקי כוח. במקרה האחרון, היקף היישום שלהם מוגבל במידה מסוימת על ידי מתח מקור הניקוז המרבי (עד 1000 וולט).

N-channel MOSFETs™ הם הפופולריים ביותר למיתוג מעגלי חשמל. מתח הבקרה או המתח המופעלים בין השער למקור כדי להפעיל את ה-MOSFET חייבים לעבור את סף ה-UT של 4V, למעשה יש צורך ב-10-12V כדי להפעיל בצורה מהימנה את ה-MOSFET. הפחתת מתח הבקרה לסף התחתון UT תכבה את ה-MOSFET.

שחרור כוח MOSFET יצרנים שונים:

HEXFET (לאומי);
VMOS (PHILLIPS);
SIPMOS (חברת SIEMENS).

מבנה פנימי של MOSFET

על איור. 7.2 מראה את הדמיון מבנה פנימי HEXFET, VMOS ו-SIPMOS. יש להם מבנה אנכי בן ארבע שכבות עם שכבות P ו-N מתחלפות: מבנה זה נגרם על ידי פעולה כבדה של MOSFETs N-channel.

אם המתח המופעל על מסופי השער הוא מעל רמת סף, השער מוטה ביחס למקור, יוצר ערוץ N הפוך מתחת לסרט תחמוצת הסיליקון המחבר את המקור לניקוז כדי שזרם יזרום.

מוליכות MOSFET מובטחת על ידי ספקי רוב מכיוון שאין נושאי מיעוטים מוזרקים לערוץ. זה לא מוביל להצטברות מטען, מה שמאיץ את תהליך המעבר. במצב מופעל, הקשר בין זרם ומתח הוא כמעט ליניארי, בדומה להתנגדות, הנחשבת כהתנגדות במצב על של הערוץ.

כוח MOSFETs
אורז. 7.2. מבנים פנימיים של טרנזיסטורים: a - טרנזיסטור במבנה HEXFET; b - טרנזיסטור מבנה VMOS; c - טרנזיסטור של מבנה SIPMOS

מעגל MOSFET שווה ערך מוצג באיור. 7.3. שני הקיבולים בין שער למקור ושער וניקוז מביאים להשהיית מיתוג אם הדרייבר אינו יכול לתמוך בזרם הפעלה גבוה. קיבול נוסף של הטרנזיסטור ממוקם בין הנקז למקור, אך בשל המבנה הפנימי של הטרנזיסטור, הוא עוקף על ידי דיודה טפילית הנוצרת בין הנקז למקור. למרבה הצער, הדיודה הטפילית אינה פועלת במהירות ואין לקחת אותה בחשבון, ודיודת מעקף נוספת מוכנסת כדי להאיץ את המעבר.

כוח MOSFETs
אורז. 7.3. מעגל שווה ערך MOSFET: a - הגרסה הראשונה של המעגל המקביל; ב - הגרסה השנייה של המעגל המקביל עם החלפת הטרנזיסטור עם דיודה; ג - מבנה פנימי המתאים לאפשרות הראשונה

פרמטרים של MOSFET

שקול את הפרמטרים העיקריים המאפיינים טרנזיסטורי MOSFET.

מתח מקור ניקוז מקסימלי, או_DS - מתח הפעלה מיידי מרבי.

זרם ניקוז מתמשך, אני_D הוא הזרם המקסימלי שה-MOSFET יכול לשאת עקב טמפרטורת הצומת.

ניקוז זרם נחשול מקסימלי, אני_DM - יותר ממני_D ומוגדר עבור דופק של משך ומחזור עבודה נתון.

גיל מתח מרבי של מקור השער, או_GS הוא המתח המרבי שניתן להפעיל בין השער למקור מבלי לפגוע בבידוד השער.

בנוסף, לְהִתְרַחֵשׁ:

מתח סף שער, U_T {U_TH, או_GS};
U_T הוא מתח השער המינימלי שבו הטרנזיסטור נדלק.

מחבר: Koryakin-Chernyak S.L.

ראה מאמרים אחרים סעיף מדריך חשמלאי.

תקרא ותכתוב שימושי הערות על מאמר זה.

<< חזרה

חדשות אחרונות של מדע וטכנולוגיה, אלקטרוניקה חדשה:

עור מלאכותי לחיקוי מגע 15.04.2024

בעולם טכנולוגי מודרני בו המרחק הופך להיות נפוץ יותר ויותר, חשוב לשמור על קשר ותחושת קרבה. ההתפתחויות האחרונות בעור מלאכותי על ידי מדענים גרמנים מאוניברסיטת Saarland מייצגים עידן חדש באינטראקציות וירטואליות. חוקרים גרמנים מאוניברסיטת Saarland פיתחו סרטים דקים במיוחד שיכולים להעביר את תחושת המגע למרחקים. טכנולוגיה חדשנית זו מספקת הזדמנויות חדשות לתקשורת וירטואלית, במיוחד עבור אלה שמוצאים את עצמם רחוקים מיקיריהם. הסרטים הדקים במיוחד שפיתחו החוקרים, בעובי של 50 מיקרומטר בלבד, ניתנים לשילוב בטקסטיל וללבוש כמו עור שני. סרטים אלה פועלים כחיישנים המזהים אותות מישוש מאמא או אבא, וכמפעילים המשדרים את התנועות הללו לתינוק. הורים הנוגעים בבד מפעילים חיישנים המגיבים ללחץ ומעוותים את הסרט הדק במיוחד. זֶה ... >>

פסולת חתולים של Petgugu Global 15.04.2024

טיפול בחיות מחמד יכול להיות לעתים קרובות אתגר, במיוחד כשמדובר בשמירה על ניקיון הבית שלך. הוצג פתרון מעניין חדש של הסטארטאפ Petgugu Global, שיקל על בעלי החתולים ויעזור להם לשמור על ביתם נקי ומסודר בצורה מושלמת. הסטארט-אפ Petgugu Global חשפה אסלת חתולים ייחודית שיכולה לשטוף צואה אוטומטית, ולשמור על הבית שלכם נקי ורענן. מכשיר חדשני זה מצויד בחיישנים חכמים שונים המנטרים את פעילות האסלה של חיית המחמד שלכם ופועלים לניקוי אוטומטי לאחר השימוש. המכשיר מתחבר למערכת הביוב ומבטיח פינוי פסולת יעיל ללא צורך בהתערבות של הבעלים. בנוסף, לאסלה קיבולת אחסון גדולה הניתנת לשטיפה, מה שהופך אותה לאידיאלית עבור משקי בית מרובי חתולים. קערת המלטה לחתולים של Petgugu מיועדת לשימוש עם המלטה מסיסת במים ומציעה מגוון זרמים נוספים ... >>

האטרקטיביות של גברים אכפתיים 14.04.2024

הסטריאוטיפ שנשים מעדיפות "בנים רעים" כבר מזמן נפוץ. עם זאת, מחקר עדכני שנערך על ידי מדענים בריטים מאוניברסיטת מונאש מציע נקודת מבט חדשה בנושא זה. הם בדקו כיצד נשים הגיבו לאחריות הרגשית של גברים ולנכונותם לעזור לאחרים. ממצאי המחקר עשויים לשנות את ההבנה שלנו לגבי מה הופך גברים לאטרקטיביים לנשים. מחקר שנערך על ידי מדענים מאוניברסיטת מונאש מוביל לממצאים חדשים לגבי האטרקטיביות של גברים לנשים. בניסוי הראו לנשים תצלומים של גברים עם סיפורים קצרים על התנהגותם במצבים שונים, כולל תגובתם למפגש עם חסר בית. חלק מהגברים התעלמו מההומלס, בעוד שאחרים עזרו לו, כמו לקנות לו אוכל. מחקר מצא שגברים שהפגינו אמפתיה וטוב לב היו מושכים יותר לנשים בהשוואה לגברים שהפגינו אמפתיה וטוב לב. ... >>

חדשות אקראיות מהארכיון

סוד למידת שינה נחשף 03.11.2022

זה ידוע שכדי לאחד מידע חדש שמתקבל במהלך היום צריך "לשכב" איתו. במהלך הלילה, כל הידע והרשמים ישככו ויופקדו בזיכרון. תהליך דומה אף בא לידי ביטוי בפתגמים ובאמירות עממיות. עם זאת, עד כה, מדענים נותרו בגדר תעלומה של מה בדיוק קורה במוח וכיצד להסביר את התופעה הזו.

כדי לפענח את התעלומה הזו, חוקרים מאוניברסיטת מדינת פנסילבניה (ארה"ב) ערכו סדרה של ניסויים שבהם ישנו מתנדבים במעבדה, ומדענים תיעדו שינויים בפעילות המוח שלהם. כתוצאה מכך, על סמך נתונים אלו, נבנה מודל ממוחשב של הפעלת רשתות עצביות במהלך השינה.

מדענים מצאו שכאשר המוח עובר שנת גלים איטיים ושינה מהירה של תנועת עיניים (REM), המתרחשת כחמש פעמים בלילה, אזור אחד במוח, ההיפוקמפוס, "מלמד" אזור אחר במוח, הניאוקורטקס. , עם המידע שהתקבל במהלך הערות.ידע. באמצעות תהליך זה, מידע חד-פעמי חדש הופך לזיכרונות מתמשכים.

ההיפוקמפוס אחראי על זיכרון אפיזודי, בעוד שהניאוקורטקס אחראי על דיבור, חשיבה ותפקודים אחרים של פעילות עצבית גבוהה יותר. במהלך שנת גלים איטיים, ההיפוקמפוס מתקשר עם הניאוקורטקס ומעביר אליו נתונים חדשים, ובשלב ה-REM, הניאוקורטקס מתקן את המידע המתקבל בזיכרון לטווח ארוך.

עוד חדשות מעניינות:

▪ תא הסוללה החדש צפוף פי 7 מתאי ליתיום-יון

▪ מעבדי Richland מסדרת MD Elite A

▪ בקרת שינוי במשקל התא בזמן אמת

▪ חור שחור יכול להפוך לפורטל

▪ המדבקה האלקטרונית תודיע על בריאותו של המטופל

עדכון חדשות של מדע וטכנולוגיה, אלקטרוניקה חדשה

חומרים מעניינים של הספרייה הטכנית החופשית:

▪ חלק של האתר מיקרופונים, מיקרופונים רדיו. מבחר מאמרים

▪ מאמר Skryabin Alexander Nikolaevich. פרשיות מפורסמות

▪ מאמר מה זה וול סטריט? תשובה מפורטת

▪ מאמר יוקה. אגדות, טיפוח, שיטות יישום

▪ מאמר מאפייני הרוח. אנציקלופדיה של רדיו אלקטרוניקה והנדסת חשמל

▪ מאמר שוב על השלמת הקלטות. אנציקלופדיה של רדיו אלקטרוניקה והנדסת חשמל

השאר את תגובתך למאמר זה:

כל השפות של דף זה

בית | הספרייה | מאמרים | <font><font>מפת אתר</font></font> | ביקורות על האתר